Strained Silicon

Strained Silicon
Strained Silicon
 
[dt. »gestrecktes Silicium«], erstmals im Juni 2001 von IBM offiziell vorgestellte Herstellungsmethode für integrierte Schaltkreise, die eine bis zu 35 Prozent höhere Leistung als bei herkömmlichen Computer-Chips verspricht, ohne dass die Abmessungen der Schaltkreise auf dem Chip verringert werden müssen (was im Rahmen der Hochintegration der sonst übliche Weg zur Leistungssteigerung ist). Das Verfahren beruht darauf, dass das Halbleitermaterial Silicium auf ein Trägermaterial (beispielsweise Germanium) aufgebracht wird, bei dem die Abstände zwischen den Atomen größer sind als die Abstände in einem normalen Siliciumkristall. Die Siliciumatome ordnen sich daher mit den Abständen des Trägermaterials aneinander an, also in gestreckterer Form. Dadurch können die Elektronen, die den Stromfluss bewirken, den Halbleiterbaustein (Halbleiter) mit geringerem elektrischem Widerstand und damit auch schneller durchqueren. Anwendungen dieser Technik werden von IBM frühestens 2003 erwartet.

Universal-Lexikon. 2012.

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